- High-Kゲート絶縁膜：Al2O3, HfO2, ZrO2, Ta2O5, La2O3
- DRAMトレンチキャパシター：HfO2, Al2O3, Ta2O5
- 金属ゲート電極：TiN, Ir, Pt, Ru
- バリアメタル：TiN, TaN
- FeRAM,etc用デフュージョンバリアー：Al2O3
- FinFETなどの3Dデバイス
- MEMS、ナノラミネート：HfO2/ Ta2O5, TiO2/ Ta2O5, ZnS/ Al2O3
- 生体適合性材料コーティング：TiN, ZrN, CrN, TiAlN, AlTiN
- UVブロックレイヤー：ZnO, TiO2
- 有機EL素子保護膜：Al2O3
- オプティカルデバイス、etc.：AlTiO, SnO2, ZnO
- 太陽電池,パッシベーションレイヤー：Al2O3
- 圧電素子：AlN, ZnS, ZnO
ZnO逆オパール構造
Nb2O5ナノチューブ
アモルファス酸化アルミニウム Al2O3
Mikrokemia Oy / University of Helsinki
イオンディフュージョンバリアー
多結晶チタン酸ストロンチウム SrTiO3
高誘電率絶縁体
University of Helsinki
メモリーサーキット用キャパシター
