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SPM-CIPTech_製品特徴
M4PP/M12PPイメージ M4PP マイクロスコピック4ポイントプローブM12PP マイクロスコピック12ポイントプローブ
従来の1/1000サイズのマイクロ4端子プローブを実現
サブミクロン領域の表面・薄膜の電気伝導測定が可能

製品特徴
M4PPは東京大学大学院理学系研究科物理学教室、デンマーク工科大学マイクロエレクトロニクスセンター、デンマークCapresA/S社により共同研究開発されました。従来のマクロな4端子プローブでは試料のバルク伝導が大きすぎる為解析できなかった表面・薄膜の電気伝導解析が、M4PPにより可能となりました。
詳細は下記URLにて表面科学23巻第12号に掲載された共著"ミクロな4端子プローブによる表面電気伝導の測定"をご参照ください。
[東京大学 長谷川研究室サイト]
http://www-surface.phys.s.u-tokyo.ac.jp/top_j.html

「ミクロな4端子プローブによる表面電気伝導の測定」 (pdf )
http://www-surface.phys.s.u-tokyo.ac.jp/papers/2002/Hase_SSSJ02.pdf


M4PPは導電性のTi/Au層でカバーされた4つのカンチレバーが等間隔で並べられ、Siベースから突き出た端子です。M4PPは、14AuでカバーされたAg/Pdコネクターストリップでセラミック基板上に取り付けられています。カンチレバーとコネクターストリップはAuのワイアーで結線され、電気接点を作り出します。

  製品特徴イメージ
応用分野
ナノテクノロジーにおける機能性薄膜の開発
導電性ポリマーの電気伝導性解析
 
カンチレバーピッチの均一性
同じ試料表面に対し、様々なカンチレバースペースの4端子プローブを使用し、抵抗を測定。
測定されたMRと平均プローブピッチとの比較
測定されたMRと平均プローブピッチとの比較:画像
 
カンチレバーデータ
カンチレバーデータ:画像

M12PP製造工程
M4PPはSiウエハー上で成長したサーマルSiO2レイヤーで形成されます。
Siベースはエッチングで部分的に削られカンチレバーが突き出てきます。
導電性Ti/AuレイヤーがM4PP上に積層されます。Tiレイヤーは25nm厚で接着層となります。
最後に100nm厚のAuレイヤーがトップの電極層として積層されます。

M12PPシート抵抗VSプローブピッチ
M12PPシート抵抗VSプローブピッチ:画像 Sheet resistance vs. mean probe pitch measured on a thin film stack.
M12PPシート抵抗VSプローブピッチ:リスト
Typical cantilever contact area(diameter) - on metal surfaces:10nm to 100nm.
Non-standard probes and systems are available on request.

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